IXGX82N120A3
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| Teilenummer | IXGX82N120A3 |
| PNEDA Teilenummer | IXGX82N120A3 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 260A 1250W PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.510 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGX82N120A3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGX82N120A3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXGX82N120A3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 260A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 580A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 82A |
| Leistung - max | 1250W |
| Schaltenergie | 5.5mJ (on), 12.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 340nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 34ns/265ns |
| Testbedingung | 600V, 80A, 2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 190µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 64nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/168ns Testbedingung 400V, 10A, 26Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-313 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 20A Leistung - max 166W Schaltenergie 770µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/199ns Testbedingung 400V, 20A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 41ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 47A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 18A Leistung - max 206W Schaltenergie 95µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/105ns Testbedingung 400V, 18A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max 90W Schaltenergie 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/215ns Testbedingung 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 305W Schaltenergie 490µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/175ns Testbedingung 400V, 25A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 52ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
