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IXGT45N120

IXGT45N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT45N120
PNEDA Teilenummer IXGT45N120
Beschreibung IGBT 1200V 75A 300W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.750
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGT45N120 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT45N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT45N120, IXGT45N120 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 64,42 KB)
PDFIXGH45N120 Datenblatt Cover
IXGH45N120 Datenblatt Seite 2

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IXGT45N120 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 45A
Leistung - max300W
Schaltenergie14mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.55ns/370ns
Testbedingung960V, 45A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

460V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.0V @ 5V, 10A

Leistung - max

107W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

500ns/4µs

Testbedingung

300V, 8A, 100Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 75°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 35A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.6mJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

300V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXDH)

APT50GP60B2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

190A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

465µJ (on), 635µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/85ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

FGA90N33ATTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

330A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

223W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 11A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

410µJ (on), 2.03mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

39nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/463ns

Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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