APT50GP60B2DQ2G
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Teilenummer | APT50GP60B2DQ2G |
PNEDA Teilenummer | APT50GP60B2DQ2G |
Beschreibung | IGBT 600V 150A 625W TMAX |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.228 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APT50GP60B2DQ2G Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APT50GP60B2DQ2G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT50GP60B2DQ2G Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | POWER MOS 7® |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 190A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
Leistung - max | 625W |
Schaltenergie | 465µJ (on), 635µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 165nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19ns/85ns |
Testbedingung | 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
Lieferantengerätepaket | - |
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