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STGD25N40LZAG

STGD25N40LZAG

Nur als Referenz

Teilenummer STGD25N40LZAG
PNEDA Teilenummer STGD25N40LZAG
Beschreibung POWER TRANSISTORS
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.838
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGD25N40LZAG Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD25N40LZAG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD25N40LZAG, STGD25N40LZAG Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 546,88 KB)
PDFSTGB25N40LZAG Datenblatt Cover
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STGD25N40LZAG Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)435V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.25V @ 4V, 6A
Leistung - max125W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge26nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.1.1µs/4.6µs
Testbedingung300V, 10A, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/160ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

ISL9V5045S3S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

480V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

51A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/10.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

FGH40T65SHD-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

1.01mJ (on), 297µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19.2ns/65.6ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31.8ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

FGP10N60UNDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

Leistung - max

139W

Schaltenergie

150µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/52.2ns

Testbedingung

400V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37.7ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

STGW80H65DFB-4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

414nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/280ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

Kürzlich verkauft

VI-LU3-CU

VI-LU3-CU

Vicor

POWER SUPP 24V 8.33A

1N6283A

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ON Semiconductor

TVS DIODE 28.2V 45.7V AXIAL

SI4836DY-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

SP0506BAATG

SP0506BAATG

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V 8MSOP

AD9237BCPZ-40

AD9237BCPZ-40

Analog Devices

IC ADC 12BIT PIPELINED 32LFCSP

MAX333AEWP

MAX333AEWP

Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC

ISL6269BCRZ

ISL6269BCRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR BUCK 16QFN

HCPL-063L-500E

HCPL-063L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN COLL 8SO

LT1129IQ#PBF

LT1129IQ#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 700MA 5DDPAK

SCT30N120

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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

JAN1N5811

JAN1N5811

Microsemi

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

LTC2644IMS-L12#PBF

LTC2644IMS-L12#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC DAC 12BIT V-OUT 12MSOP