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IXGH36N60B3

IXGH36N60B3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH36N60B3
PNEDA Teilenummer IXGH36N60B3
Beschreibung IGBT 600V 92A 250W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.370
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGH36N60B3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH36N60B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH36N60B3, IXGH36N60B3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 162,38 KB)
PDFIXGH36N60B3 Datenblatt Cover
IXGH36N60B3 Datenblatt Seite 2 IXGH36N60B3 Datenblatt Seite 3 IXGH36N60B3 Datenblatt Seite 4 IXGH36N60B3 Datenblatt Seite 5 IXGH36N60B3 Datenblatt Seite 6

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IXGH36N60B3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)92A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 30A
Leistung - max250W
Schaltenergie540µJ (on), 800µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/125ns
Testbedingung400V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 150A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/90ns

Testbedingung

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IKFW50N60DH3EXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

1.28mJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/174ns

Testbedingung

400V, 40A, 8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

64ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-AI

RGT80TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

234W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/119ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

SGS23N60UFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

Leistung - max

73W

Schaltenergie

115µJ (on), 135µJ (off)

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Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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60ns

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Through Hole

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