IXGX75N250
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| Teilenummer | IXGX75N250 |
| PNEDA Teilenummer | IXGX75N250 |
| Beschreibung | IGBT 2500V 170A 780W PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.534 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGX75N250 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGX75N250 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGX75N250 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 2500V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 170A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 530A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 150A |
| Leistung - max | 780W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 410nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 8A Leistung - max 125W Schaltenergie 460µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13.3nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/40ns Testbedingung 450V, 8A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 27A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 2W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 65ns/250ns Testbedingung 300V, 15A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FI(LS) |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 442V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 4.5V, 20A Leistung - max 200W Schaltenergie 5mJ (on), 12.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1µs/12.1µs Testbedingung 320V, 20A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 24A Leistung - max 250W Schaltenergie 520µJ (on), 240µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/73ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 170ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
