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IXGT24N170A

IXGT24N170A

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT24N170A
PNEDA Teilenummer IXGT24N170A
Beschreibung IGBT 1700V 24A 250W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.408
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IXGT24N170A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT24N170A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT24N170A, IXGT24N170A Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 519,36 KB)
PDFIXGT24N170A Datenblatt Cover
IXGT24N170A Datenblatt Seite 2

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IXGT24N170A Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)24A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic6V @ 15V, 16A
Leistung - max250W
Schaltenergie2.97mJ (on), 790µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/336ns
Testbedingung850V, 24A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/135ns

Testbedingung

720V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

110µJ (on), 220µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/127ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

113A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 24A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

500µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/125ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

33ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263HV

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

290A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

3.7mJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

118nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/84ns

Testbedingung

400V, 75A, 4Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

147ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

156A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Leistung - max

520W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 5.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/200ns

Testbedingung

480V, 100A, 2.4Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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