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FGA25N120ANTDTU

FGA25N120ANTDTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGA25N120ANTDTU
PNEDA Teilenummer FGA25N120ANTDTU
Beschreibung IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 20.916
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FGA25N120ANTDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA25N120ANTDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA25N120ANTDTU, FGA25N120ANTDTU Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 1.382,87 KB)
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FGA25N120ANTDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypNPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.65V @ 15V, 50A
Leistung - max312W
Schaltenergie4.1mJ (on), 960µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge200nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/190ns
Testbedingung600V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)350ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/60ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IKQ40N120CT2XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/328ns

Testbedingung

600V, 40A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-46

IRG4BC40W

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

110µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/100ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IKQ75N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

Leistung - max

938W

Schaltenergie

6.4mJ (on), 2.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/282ns

Testbedingung

600V, 75A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-46

FGH12040WD-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

4.1mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

226nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/560ns

Testbedingung

600V, 40A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

71ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

ADG849YKSZ-REEL7

ADG849YKSZ-REEL7

Analog Devices

IC SWITCH SPDT SC70-6

MAX811SEUS+T

MAX811SEUS+T

Maxim Integrated

IC MPU V-MONITOR 2.93V SOT143-4

SMBJ36A-13-F

SMBJ36A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

HCPL-3700-500E

HCPL-3700-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

2920L300/15DR

2920L300/15DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 15V 3A 2920

CAT93C57XI

CAT93C57XI

ON Semiconductor

IC EEPROM 2K SPI 1MHZ 8SOIC

ADP2164ACPZ-1.8-R7

ADP2164ACPZ-1.8-R7

Analog Devices

IC REG BUCK 1.8V 4A 16LFCSP

SI3420A-TP

SI3420A-TP

Micro Commercial Co

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

MX25L25735FMI-10G

MX25L25735FMI-10G

Macronix

IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOP

L7915CT

L7915CT

STMicroelectronics

IC REG LINEAR -15V 1.5A TO3

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

SMBJ36CA-13-F

SMBJ36CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB