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IXGT28N60BD1

IXGT28N60BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT28N60BD1
PNEDA Teilenummer IXGT28N60BD1
Beschreibung IGBT 600V 40A 150W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.780
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IXGT28N60BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT28N60BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT28N60BD1, IXGT28N60BD1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 513,55 KB)
PDFIXGT28N60BD1 Datenblatt Cover
IXGT28N60BD1 Datenblatt Seite 2 IXGT28N60BD1 Datenblatt Seite 3 IXGT28N60BD1 Datenblatt Seite 4 IXGT28N60BD1 Datenblatt Seite 5 IXGT28N60BD1 Datenblatt Seite 6

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IXGT28N60BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 28A
Leistung - max150W
Schaltenergie2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge68nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/175ns
Testbedingung480V, 28A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

22W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/33ns

Testbedingung

400V, 8A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220NFM

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Hersteller

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Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

510µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/74ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

196ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

NGTB30N120LWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

560W

Schaltenergie

4.4mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

136ns/360ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

46ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 20A

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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