FGB30N6S2D
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| Teilenummer | FGB30N6S2D |
| PNEDA Teilenummer | FGB30N6S2D |
| Beschreibung | IGBT 600V 45A 167W TO263AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.678 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGB30N6S2D Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGB30N6S2D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGB30N6S2D Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 45A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 108A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 167W |
| Schaltenergie | 55µJ (on), 100µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 23nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 6ns/40ns |
| Testbedingung | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 46ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 134A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 543W Schaltenergie 4495µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/320ns Testbedingung 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket - |
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