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IXGP20N120

IXGP20N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXGP20N120
PNEDA Teilenummer IXGP20N120
Beschreibung IGBT 1200V 40A 150W TO220
Hersteller IXYS
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IXGP20N120 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGP20N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGP20N120, IXGP20N120 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 71,44 KB)
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IXGP20N120 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max150W
Schaltenergie6.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge63nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/400ns
Testbedingung800V, 20A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

313W

Schaltenergie

1.21mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/270ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

APT80GA90LD40

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

145A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

239A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 47A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

1652µJ (on), 1389µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/149ns

Testbedingung

600V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

IGW60T120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

9.5mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

280nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/480ns

Testbedingung

600V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRG7PH42UD2-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.02V @ 15V, 30A

Leistung - max

321W

Schaltenergie

1.32mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

234nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/233ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRGR4607DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Leistung - max

58W

Schaltenergie

140µJ (on), 62µJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/120ns

Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

48ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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