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IXGK50N60C2D1

IXGK50N60C2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGK50N60C2D1
PNEDA Teilenummer IXGK50N60C2D1
Beschreibung IGBT 600V 75A 480W TO264AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.614
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IXGK50N60C2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGK50N60C2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGK50N60C2D1, IXGK50N60C2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 214,57 KB)
PDFIXGX50N60C2D1 Datenblatt Cover
IXGX50N60C2D1 Datenblatt Seite 2 IXGX50N60C2D1 Datenblatt Seite 3 IXGX50N60C2D1 Datenblatt Seite 4 IXGX50N60C2D1 Datenblatt Seite 5 IXGX50N60C2D1 Datenblatt Seite 6

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IXGK50N60C2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
Leistung - max480W
Schaltenergie380µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge138nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/115ns
Testbedingung480V, 40A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXGK)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

350µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/165ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

235A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

147nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/230ns

Testbedingung

1250V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247HV (IXYH)

STGP35HF60W

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

290µJ (on), 185µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/175ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-220

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 3V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Renesas Electronics America

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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400V, 20A, 10Ohm, 15V

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