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IXGK50N60BU1

IXGK50N60BU1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGK50N60BU1
PNEDA Teilenummer IXGK50N60BU1
Beschreibung IGBT 600V 75A 300W TO264AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.182
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGK50N60BU1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGK50N60BU1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGK50N60BU1, IXGK50N60BU1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 162,54 KB)
PDFIXGK50N60BU1 Datenblatt Cover
IXGK50N60BU1 Datenblatt Seite 2 IXGK50N60BU1 Datenblatt Seite 3 IXGK50N60BU1 Datenblatt Seite 4 IXGK50N60BU1 Datenblatt Seite 5 IXGK50N60BU1 Datenblatt Seite 6

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IXGK50N60BU1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 50A
Leistung - max300W
Schaltenergie3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge200nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/110ns
Testbedingung480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXGK)

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

94W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/33ns

Testbedingung

400V, 8A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS (TO-263S)

IHW50N65R5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

282W

Schaltenergie

740µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/220ns

Testbedingung

400V, 25A, 8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

ISL9V3040S3ST

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/4.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

187W

Schaltenergie

1.38mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/207ns

Testbedingung

400V, 30A, 10.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

38ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 120A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

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Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/109ns

Testbedingung

200V, 60A, 2Ohm, 15V

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