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IXGK50N60BU1

IXGK50N60BU1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGK50N60BU1
PNEDA Teilenummer IXGK50N60BU1
Beschreibung IGBT 600V 75A 300W TO264AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.182
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IXGK50N60BU1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGK50N60BU1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGK50N60BU1, IXGK50N60BU1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 162,54 KB)
PDFIXGK50N60BU1 Datenblatt Cover
IXGK50N60BU1 Datenblatt Seite 2 IXGK50N60BU1 Datenblatt Seite 3 IXGK50N60BU1 Datenblatt Seite 4 IXGK50N60BU1 Datenblatt Seite 5 IXGK50N60BU1 Datenblatt Seite 6

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IXGK50N60BU1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 50A
Leistung - max300W
Schaltenergie3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge200nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/110ns
Testbedingung480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXGK)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

187W

Schaltenergie

1.38mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/207ns

Testbedingung

400V, 30A, 10.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

38ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IXSH45N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 45A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

21mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/400ns

Testbedingung

960V, 45A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 120A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

230µJ (on), 730µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/109ns

Testbedingung

200V, 60A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRG4PC40KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

620µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

STGP10NB60SD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

600µJ (on), 5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

700ns/1.2µs

Testbedingung

480V, 10A, 1kOhm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

SBR3U60P1-7

SBR3U60P1-7

Diodes Incorporated

DIODE SBR 60V 3A POWERDI123

WSH28185L000FEA

WSH28185L000FEA

Vishay Dale

RES 0.005 OHM 1% 5W 2818

CG0603MLC-05LE

CG0603MLC-05LE

Bourns

VARISTOR 0603

S1M-13-F

S1M-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

LTM8045IY#PBF

LTM8045IY#PBF

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DC DC CONVERTER +/-2.5 +/-15V

IRF630NPBF

IRF630NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

MLX92251LSE-AAA-000-RE

MLX92251LSE-AAA-000-RE

Melexis Technologies NV

MAGNET SWITCH LATCH DUAL TSOT23

ADM3202ARN

ADM3202ARN

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

AQY210SZ

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Panasonic Electric Works

SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V

TL074ID

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STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO

PLA10AN3630R3D2B

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Murata

COMMON MODE CHOKE 300MA 2LN TH

0CNL200.V

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FUSE STRIP 200A 32VAC/VDC BOLT