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IXGH120N30C3

IXGH120N30C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH120N30C3
PNEDA Teilenummer IXGH120N30C3
Beschreibung IGBT 300V 75A 540W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.490
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH120N30C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH120N30C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH120N30C3, IXGH120N30C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 117,62 KB)
PDFIXGH120N30C3 Datenblatt Cover
IXGH120N30C3 Datenblatt Seite 2 IXGH120N30C3 Datenblatt Seite 3 IXGH120N30C3 Datenblatt Seite 4 IXGH120N30C3 Datenblatt Seite 5 IXGH120N30C3 Datenblatt Seite 6

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IXGH120N30C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)600A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 120A
Leistung - max540W
Schaltenergie230µJ (on), 730µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge230nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/109ns
Testbedingung200V, 60A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 120A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

8.2mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

360nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

69ns/198ns

Testbedingung

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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IRGP4790-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRG4BC30FDSTRRP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/230ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 90A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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TO-247-3

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