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IRG4BC20FPBF

IRG4BC20FPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC20FPBF
PNEDA Teilenummer IRG4BC20FPBF
Beschreibung IGBT 600V 16A 60W TO220AB
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.466
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Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRG4BC20FPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC20FPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4BC20FPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)64A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 9A
Leistung - max60W
Schaltenergie70µJ (on), 600µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.24ns/190ns
Testbedingung480V, 9A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 9A

Leistung - max

210W

Schaltenergie

530µJ (on), 380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/110ns

Testbedingung

600V, 9A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

STGD3HF60HDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

19µJ (on), 12µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/60ns

Testbedingung

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

ISL9V5036P3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/10.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 36A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

950µJ (on), 840µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

113nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/270ns

Testbedingung

400V, 36A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

NGTB15N135IHRWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 15A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

420µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

156nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/170ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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