IXSH45N120
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| Teilenummer | IXSH45N120 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXSH45N120 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 75A 300W TO247AD | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXSH45N120 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXSH45N120 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXSH45N120 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 45A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | 21mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 150nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 80ns/400ns |
| Testbedingung | 960V, 45A, 2.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXSH) |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 24A Leistung - max 150W Schaltenergie 1.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 41nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/150ns Testbedingung 480V, 24A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 13A Leistung - max 250W Schaltenergie 114µJ (on), 165µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9ns/28ns Testbedingung 600V, 13A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 [K] |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 19A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 38A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 10A Leistung - max 60W Schaltenergie 320µJ (on), 2.58mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 62ns/690ns Testbedingung 480V, 10A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 390V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 5V, 14A Leistung - max 100W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/7µs Testbedingung 300V, 7A, 25Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max 250W Schaltenergie 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/104ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 89ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AC |
