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APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Nur als Referenz

Teilenummer APT25GR120BD15
PNEDA Teilenummer APT25GR120BD15
Beschreibung IGBT 1200V 75A 521W TO247
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.640
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APT25GR120BD15 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT25GR120BD15
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT25GR120BD15 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 25A
Leistung - max521W
Schaltenergie742µJ (on), 427µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge203nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/122ns
Testbedingung600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 10A

Leistung - max

163W

Schaltenergie

260µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/72ns

Testbedingung

400V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

105ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

IXBH9N160G

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

10A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 5A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

960V, 5A, 27Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

FGH12040WD-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

4.1mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

226nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/560ns

Testbedingung

600V, 40A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

71ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

RJH60V3BDPE-00#J3

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 17A

Leistung - max

113W

Schaltenergie

90µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

60nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/90ns

Testbedingung

300V, 17A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

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Standard

Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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400V, 40A, 5Ohm, 15V

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62ns

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