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IXGH64N60A3

IXGH64N60A3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH64N60A3
PNEDA Teilenummer IXGH64N60A3
Beschreibung IGBT 600V 460W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.130
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGH64N60A3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH64N60A3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH64N60A3, IXGH64N60A3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 195,03 KB)
PDFIXGH64N60A3 Datenblatt Cover
IXGH64N60A3 Datenblatt Seite 2 IXGH64N60A3 Datenblatt Seite 3 IXGH64N60A3 Datenblatt Seite 4 IXGH64N60A3 Datenblatt Seite 5 IXGH64N60A3 Datenblatt Seite 6

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IXGH64N60A3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)400A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.35V @ 15V, 50A
Leistung - max460W
Schaltenergie1.42mJ (on), 3.28mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge167nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.26ns/268ns
Testbedingung480V, 50A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

IXYS

Serie

Polar™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

270V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

800A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 160A

Leistung - max

940W

Schaltenergie

3.5mJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

422nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/197ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXXK)

RGTH60TK65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

61W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

58nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/105ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

AOTF10B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

180µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/91ns

Testbedingung

400V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

263ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

RJH60D2DPP-A0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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