IXGH64N60A3
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| Teilenummer | IXGH64N60A3 |
| PNEDA Teilenummer | IXGH64N60A3 |
| Beschreibung | IGBT 600V 460W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.130 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGH64N60A3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGH64N60A3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGH64N60A3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 400A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 460W |
| Schaltenergie | 1.42mJ (on), 3.28mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 167nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/268ns |
| Testbedingung | 480V, 50A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXGH) |
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Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 290A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 800A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 160A Leistung - max 940W Schaltenergie 3.5mJ (on), 1.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 422nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/197ns Testbedingung 400V, 80A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXXK) |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A Leistung - max 73.5W Schaltenergie 80µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12.1nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 5.4ns/25.4ns Testbedingung 400V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 96A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A Leistung - max 254W Schaltenergie 1.18mJ (on), 960µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 141nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/180ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max 61W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 58nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/105ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
