IXGH40N60C2D1
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| Teilenummer | IXGH40N60C2D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGH40N60C2D1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 300W TO247AD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.420 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGH40N60C2D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGH40N60C2D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGH40N60C2D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | 200µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 95nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/90ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXGH) |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 340A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 70A Leistung - max 695W Schaltenergie 2mJ (on), 950µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/90ns Testbedingung 360V, 70A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Variation Lieferantengerätepaket TO-264 (IXXK) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A Leistung - max 60W Schaltenergie 450µJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/93ns Testbedingung 960V, 5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/150ns Testbedingung 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 33.3W Schaltenergie 120µJ (on), 50µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 38nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/160ns Testbedingung 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 48ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 134A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 260A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A Leistung - max 595W Schaltenergie 1.51mJ (on), 1.46mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 305nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/170ns Testbedingung 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
