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IXXK100N60C3H1

IXXK100N60C3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXXK100N60C3H1
PNEDA Teilenummer IXXK100N60C3H1
Beschreibung IGBT 600V 170A 695W TO264
Hersteller IXYS
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IXXK100N60C3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXK100N60C3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXK100N60C3H1, IXXK100N60C3H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 239,52 KB)
PDFIXXK100N60C3H1 Datenblatt Cover
IXXK100N60C3H1 Datenblatt Seite 2 IXXK100N60C3H1 Datenblatt Seite 3 IXXK100N60C3H1 Datenblatt Seite 4 IXXK100N60C3H1 Datenblatt Seite 5 IXXK100N60C3H1 Datenblatt Seite 6 IXXK100N60C3H1 Datenblatt Seite 7

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IXXK100N60C3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)170A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)340A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 70A
Leistung - max695W
Schaltenergie2mJ (on), 950µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/90ns
Testbedingung360V, 70A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)140ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA Variation
LieferantengerätepaketTO-264 (IXXK)

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

1.5mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/150ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

180µJ (on), 45µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

99nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/105ns

Testbedingung

400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 25A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

114nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/128ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 28A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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