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IXGH32N90B2D1

IXGH32N90B2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH32N90B2D1
PNEDA Teilenummer IXGH32N90B2D1
Beschreibung IGBT 900V 64A 300W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.848
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH32N90B2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH32N90B2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH32N90B2D1, IXGH32N90B2D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 219,86 KB)
PDFIXGT32N90B2D1 Datenblatt Cover
IXGT32N90B2D1 Datenblatt Seite 2 IXGT32N90B2D1 Datenblatt Seite 3 IXGT32N90B2D1 Datenblatt Seite 4 IXGT32N90B2D1 Datenblatt Seite 5 IXGT32N90B2D1 Datenblatt Seite 6 IXGT32N90B2D1 Datenblatt Seite 7

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IXGH32N90B2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)64A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 32A
Leistung - max300W
Schaltenergie2.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge89nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/260ns
Testbedingung720V, 32A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)190ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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IKP39N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

62A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 39A

Leistung - max

188W

Schaltenergie

800µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/120ns

Testbedingung

400V, 39A, 12.8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

84ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

190µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/70ns

Testbedingung

400V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

Leistung - max

166W

Schaltenergie

770µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/199ns

Testbedingung

400V, 20A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 120A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 4.41mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

66ns/185ns

Testbedingung

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

202ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

MAX247™

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

Leistung - max

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