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IKW50N65F5AXKSA1

IKW50N65F5AXKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKW50N65F5AXKSA1
PNEDA Teilenummer IKW50N65F5AXKSA1
Beschreibung IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.282
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IKW50N65F5AXKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKW50N65F5AXKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKW50N65F5AXKSA1, IKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.980,73 KB)
PDFIKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt Cover
IKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt Seite 2 IKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt Seite 3 IKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt Seite 4 IKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt Seite 5 IKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt Seite 6 IKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt Seite 7 IKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt Seite 8 IKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt Seite 9 IKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt Seite 10 IKW50N65F5AXKSA1 Datenblatt Seite 11

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IKW50N65F5AXKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Leistung - max270W
Schaltenergie490µJ (on), 140µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge108nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/156ns
Testbedingung400V, 25A, 12Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)77ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 70A

Leistung - max

149W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRG4BH20K-SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

450µJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/93ns

Testbedingung

960V, 5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

APT20GF120BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

2.7mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/105ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IRG4PC50WPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 27A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

80µJ (on), 320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/120ns

Testbedingung

480V, 27A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

RGT8BM65DTL

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

62W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/69ns

Testbedingung

400V, 4A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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