IXGH24N120C3H1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXGH24N120C3H1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXGH24N120C3H1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 48A 250W TO247AD | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 28.176 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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IXGH24N120C3H1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGH24N120C3H1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGH24N120C3H1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 48A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 96A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4.2V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 1.16mJ (on), 470µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 79nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 16ns/93ns |
| Testbedingung | 600V, 20A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXGH) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 97nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/65ns Testbedingung 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A Leistung - max 229W Schaltenergie 2.1mJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 72ns/165ns Testbedingung 600V, 15A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 130W Schaltenergie 85µJ (on), 189µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/97ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 42A Leistung - max 1040W Schaltenergie 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 358nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/418ns Testbedingung 1360V, 42A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 360ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 950V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.11V @ 15V, 75A Leistung - max 434W Schaltenergie 8.8mJ (on), 3.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 137nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28.8ns/117ns Testbedingung 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 259ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
