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IXGH24N120C3H1

IXGH24N120C3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH24N120C3H1
PNEDA Teilenummer IXGH24N120C3H1
Beschreibung IGBT 1200V 48A 250W TO247AD
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $101,3307
50 ---------- $96,5808
100 ---------- $91,8309
200 ---------- $87,0811
400 ---------- $83,1228
500 ---------- $79,1646
Auf Lager 28.176
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH24N120C3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH24N120C3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH24N120C3H1, IXGH24N120C3H1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 141,27 KB)
PDFIXGH24N120C3H1 Datenblatt Cover
IXGH24N120C3H1 Datenblatt Seite 2 IXGH24N120C3H1 Datenblatt Seite 3 IXGH24N120C3H1 Datenblatt Seite 4 IXGH24N120C3H1 Datenblatt Seite 5 IXGH24N120C3H1 Datenblatt Seite 6

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IXGH24N120C3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)48A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.2V @ 15V, 20A
Leistung - max250W
Schaltenergie1.16mJ (on), 470µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge79nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/93ns
Testbedingung600V, 20A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)70ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 5A

Leistung - max

35W

Schaltenergie

88µJ (on), 107µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

16nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/34ns

Testbedingung

300V, 5A, 40Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

AUIRGP65A40D0

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CooliRIGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

190A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

380A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

2mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

460W

Schaltenergie

2.2mJ (on), 630µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

196nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/123ns

Testbedingung

600V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 42A

Leistung - max

1040W

Schaltenergie

3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

358nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/418ns

Testbedingung

1360V, 42A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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