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IXGH17N100U1

IXGH17N100U1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH17N100U1
PNEDA Teilenummer IXGH17N100U1
Beschreibung IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.556
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGH17N100U1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH17N100U1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH17N100U1, IXGH17N100U1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 114 KB)
PDFIXGH17N100AU1 Datenblatt Cover
IXGH17N100AU1 Datenblatt Seite 2 IXGH17N100AU1 Datenblatt Seite 3 IXGH17N100AU1 Datenblatt Seite 4 IXGH17N100AU1 Datenblatt Seite 5 IXGH17N100AU1 Datenblatt Seite 6

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IXGH17N100U1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)34A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)68A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 17A
Leistung - max150W
Schaltenergie3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.100ns/500ns
Testbedingung800V, 17A, 82Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

113A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 24A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

500µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/125ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

33ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263HV

IRGB8B60KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

160µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/140ns

Testbedingung

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

HGTG5N120BND

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 5A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

450µJ (on), 390µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/160ns

Testbedingung

960V, 5A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRGP4750D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

273W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/105ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

STGW40NC60W

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

302µJ (on), 349µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/168ns

Testbedingung

390V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

Kürzlich verkauft

VI-LU3-CU

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XC2C256-7VQG100I

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742792662

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FERRITE BEAD 1 KOHM 0603 1LN

AS5047D-ATSM

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ABS05-32.768KHZ-T

ABS05-32.768KHZ-T

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ISL6269BCRZ

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Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR BUCK 16QFN

IRM-20-24

IRM-20-24

MEAN WELL

AC/DC CONVERTER 24V 22W

AD9237BCPZ-40

AD9237BCPZ-40

Analog Devices

IC ADC 12BIT PIPELINED 32LFCSP

MAX3094EEUE+

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Maxim Integrated

IC RECEIVER 0/4 16TSSOP

MAX333AEWP

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Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC

AT25F2048N-10SU-2.7

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Microchip Technology

IC FLASH 2M SPI 33MHZ 8SOIC

SMCJ5.0CA

SMCJ5.0CA

TVS DIODE 5V 9.2V DO214AB