IXSP10N60B2D1
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| Teilenummer | IXSP10N60B2D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXSP10N60B2D1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 20A 100W TO220AB |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.724 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 27 - Mai 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXSP10N60B2D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXSP10N60B2D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXSP10N60B2D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 30A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 100W |
| Schaltenergie | 430µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 17nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/180ns |
| Testbedingung | 480V, 10A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 32A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 8A Leistung - max 99W Schaltenergie 70µJ (on), 145µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/95ns Testbedingung 400V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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