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IXSP10N60B2D1

IXSP10N60B2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSP10N60B2D1
PNEDA Teilenummer IXSP10N60B2D1
Beschreibung IGBT 600V 20A 100W TO220AB
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.724
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IXSP10N60B2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSP10N60B2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSP10N60B2D1, IXSP10N60B2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 589,11 KB)
PDFIXSA10N60B2D1 Datenblatt Cover
IXSA10N60B2D1 Datenblatt Seite 2 IXSA10N60B2D1 Datenblatt Seite 3 IXSA10N60B2D1 Datenblatt Seite 4 IXSA10N60B2D1 Datenblatt Seite 5 IXSA10N60B2D1 Datenblatt Seite 6

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IXSP10N60B2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
Leistung - max100W
Schaltenergie430µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge17nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/180ns
Testbedingung480V, 10A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

319.2W

Schaltenergie

1.53mJ (on), 850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

249nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/215ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

115ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IXGA20N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/350ns

Testbedingung

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

280nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/556ns

Testbedingung

600V, 30A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/60ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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Hersteller

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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