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IXGH120N30B3

IXGH120N30B3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH120N30B3
PNEDA Teilenummer IXGH120N30B3
Beschreibung IGBT 300V 75A 540W TO247
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $45,6099
100 ---------- $43,4719
250 ---------- $41,3339
500 ---------- $39,1960
750 ---------- $37,4143
1.000 ---------- $35,6327
Auf Lager 19.257
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGH120N30B3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH120N30B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH120N30B3, IXGH120N30B3 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 162,83 KB)
PDFIXGH120N30B3 Datenblatt Cover
IXGH120N30B3 Datenblatt Seite 2 IXGH120N30B3 Datenblatt Seite 3 IXGH120N30B3 Datenblatt Seite 4 IXGH120N30B3 Datenblatt Seite 5

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IXGH120N30B3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)480A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 120A
Leistung - max540W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge225nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT75GN60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

155A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 75A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

2500µJ (on), 2140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

485nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/385ns

Testbedingung

400V, 75A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IGW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

2.7mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/520ns

Testbedingung

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRG4PF50WPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

51A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

204A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 28A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

190µJ (on), 1.06mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/110ns

Testbedingung

720V, 28A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

FGH75T65SQDNL4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

1.25mJ (on), 1.26mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

152nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/208ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

134ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

236µJ (on), 290µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/118ns

Testbedingung

800V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

51ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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