APT75GN60BG
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| Teilenummer | APT75GN60BG |
| PNEDA Teilenummer | APT75GN60BG |
| Beschreibung | IGBT 600V 155A 536W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.056 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT75GN60BG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT75GN60BG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT75GN60BG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 155A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 536W |
| Schaltenergie | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 485nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 47ns/385ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 345W Schaltenergie 828µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/124ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 155A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A Leistung - max 536W Schaltenergie 2500µJ (on), 2140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 485nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/385ns Testbedingung 400V, 75A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A Leistung - max 305W Schaltenergie 1.6mJ (on), 1.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 240nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/245ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 49A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 196A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 27A Leistung - max 160W Schaltenergie 370µJ (on), 1.81mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/240ns Testbedingung 480V, 27A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 333µJ (on), 537µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 126nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/178ns Testbedingung 390V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 45ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
