HGTG40N60A4
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| Teilenummer | HGTG40N60A4 |
| PNEDA Teilenummer | HGTG40N60A4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 625W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.244 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTG40N60A4 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG40N60A4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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HGTG40N60A4 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 625W |
| Schaltenergie | 400µJ (on), 370µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 350nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/145ns |
| Testbedingung | 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max 115W Schaltenergie 120µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/91ns Testbedingung 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 96ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
