APT30GP60B2DLG
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| Teilenummer | APT30GP60B2DLG |
| PNEDA Teilenummer | APT30GP60B2DLG |
| Beschreibung | IGBT 600V 100A 463W TMAX |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.604 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT30GP60B2DLG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT30GP60B2DLG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT30GP60B2DLG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 463W |
| Schaltenergie | 260µJ (on), 250µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 90nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/55ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | T-MAX™ |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 312.5W Schaltenergie 1.72mJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 63.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/77ns Testbedingung 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 138ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max 167W Schaltenergie 55µJ (on), 50µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/96ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A Leistung - max 72W Schaltenergie 412µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 48ns/120ns Testbedingung 300V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
