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IXGF25N250

IXGF25N250

Nur als Referenz

Teilenummer IXGF25N250
PNEDA Teilenummer IXGF25N250
Beschreibung IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $56,1274
100 ---------- $53,4964
250 ---------- $50,8654
500 ---------- $48,2345
750 ---------- $46,0420
1.000 ---------- $43,8495
Auf Lager 746
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IXGF25N250 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGF25N250
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGF25N250, IXGF25N250 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 222,95 KB)
PDFIXGF25N250 Datenblatt Cover
IXGF25N250 Datenblatt Seite 2 IXGF25N250 Datenblatt Seite 3 IXGF25N250 Datenblatt Seite 4 IXGF25N250 Datenblatt Seite 5

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IXGF25N250 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic5.2V @ 15V, 75A
Leistung - max114W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge75nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5 (3 Leads)
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Leistung - max

195W

Schaltenergie

3.8mJ (on), 4.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

106nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 35A, 27Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/500ns

Testbedingung

800V, 25A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

FGH75T65SHD-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

123nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/80ns

Testbedingung

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

43.4ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

GT10J312(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

400ns/400ns

Testbedingung

300V, 10A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-220SM

IXBK55N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 55A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

335nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.9µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

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