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IXA37IF1200HJ

IXA37IF1200HJ

Nur als Referenz

Teilenummer IXA37IF1200HJ
PNEDA Teilenummer IXA37IF1200HJ
Beschreibung IGBT 1200V 58A 195W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.628
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IXA37IF1200HJ Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXA37IF1200HJ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXA37IF1200HJ, IXA37IF1200HJ Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 147,33 KB)
PDFIXA37IF1200HJ Datenblatt Cover
IXA37IF1200HJ Datenblatt Seite 2 IXA37IF1200HJ Datenblatt Seite 3 IXA37IF1200HJ Datenblatt Seite 4 IXA37IF1200HJ Datenblatt Seite 5 IXA37IF1200HJ Datenblatt Seite 6

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IXA37IF1200HJ Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)58A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 35A
Leistung - max195W
Schaltenergie3.8mJ (on), 4.1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge106nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 35A, 27Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)350ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/10.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

76ns/815ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.35µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-268

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

220µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/100ns

Testbedingung

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

44ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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