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IXGA48N60C3

IXGA48N60C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGA48N60C3
PNEDA Teilenummer IXGA48N60C3
Beschreibung IGBT 600V 75A 300W TO263AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.606
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGA48N60C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGA48N60C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXGA48N60C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
Leistung - max300W
Schaltenergie410µJ (on), 230µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge77nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/60ns
Testbedingung400V, 30A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (IXGA)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

2.7mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/520ns

Testbedingung

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

STGWT30V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

258W

Schaltenergie

383µJ (on), 233µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

163nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/189ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 120A

Leistung - max

660W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 5.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/200ns

Testbedingung

480V, 100A, 2.4Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

NGTB60N65FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

595W

Schaltenergie

1.59mJ (on), 660µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

318nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

117ns/265ns

Testbedingung

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

96ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

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Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

0.9µs/4.8µs

Testbedingung

300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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