FGD3040G2-F085C
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| Teilenummer | FGD3040G2-F085C |
| PNEDA Teilenummer | FGD3040G2-F085C |
| Beschreibung | ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.794 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGD3040G2-F085C Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGD3040G2-F085C |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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FGD3040G2-F085C Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 400V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 21nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 0.9µs/4.8µs |
| Testbedingung | 300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252) |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 50A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.3mJ (on), 1.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/125ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 250ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 94A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A Leistung - max 625W Schaltenergie 2330µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/230ns Testbedingung 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max 194W Schaltenergie 570µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 64nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/105ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 310A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 860A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 160A Leistung - max 940W Schaltenergie 3.3mJ (on), 1.88mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 425nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/220ns Testbedingung 400V, 80A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
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