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APT50GT120B2RDQ2G

APT50GT120B2RDQ2G

Nur als Referenz

Teilenummer APT50GT120B2RDQ2G
PNEDA Teilenummer APT50GT120B2RDQ2G
Beschreibung IGBT 1200V 94A 625W TO247
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.760
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APT50GT120B2RDQ2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT50GT120B2RDQ2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT50GT120B2RDQ2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieThunderbolt IGBT®
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)94A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Leistung - max625W
Schaltenergie2330µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge340nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.24ns/230ns
Testbedingung800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
Lieferantengerätepaket-

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SGB02N60ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

64µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/259ns

Testbedingung

400V, 2A, 118Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

GPA060A060MN-FD

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

347W

Schaltenergie

2.66mJ (on), 1.53mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/150ns

Testbedingung

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

10mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/400ns

Testbedingung

960V, 35A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

IXRH40N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

3mJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 35A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

2.1µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.67V @ 15V, 40A

Leistung - max

231W

Schaltenergie

989µJ (on), 310µJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/271ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

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Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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TO-247-3

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