APT50GT120B2RDQ2G
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| Teilenummer | APT50GT120B2RDQ2G |
| PNEDA Teilenummer | APT50GT120B2RDQ2G |
| Beschreibung | IGBT 1200V 94A 625W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT50GT120B2RDQ2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT50GT120B2RDQ2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT50GT120B2RDQ2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 94A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 625W |
| Schaltenergie | 2330µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 340nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 24ns/230ns |
| Testbedingung | 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max 300W Schaltenergie 3mJ (on), 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 35A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 2.1µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
