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IXRH40N120

IXRH40N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXRH40N120
PNEDA Teilenummer IXRH40N120
Beschreibung IGBT 1200V 55A 300W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.372
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IXRH40N120 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXRH40N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXRH40N120, IXRH40N120 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 110,3 KB)
PDFIXRH40N120 Datenblatt Cover
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IXRH40N120 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)55A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
Leistung - max300W
Schaltenergie3mJ (on), 700µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge90nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 35A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)2.1µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

220µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/100ns

Testbedingung

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IKB40N65EH5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/157ns

Testbedingung

400V, 40A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

78ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

54A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

240µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/77ns

Testbedingung

400V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

SGW15N120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

Leistung - max

198W

Schaltenergie

1.9mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/580ns

Testbedingung

800V, 15A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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