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IXGA12N100

IXGA12N100

Nur als Referenz

Teilenummer IXGA12N100
PNEDA Teilenummer IXGA12N100
Beschreibung IGBT 1000V 24A 100W TO263AA
Hersteller IXYS
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IXGA12N100 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGA12N100
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGA12N100, IXGA12N100 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 51,49 KB)
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IXGA12N100 Datenblatt Seite 2

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IXGA12N100 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)24A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)48A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 12A
Leistung - max100W
Schaltenergie2.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge65nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.100ns/850ns
Testbedingung800V, 12A, 120Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (IXGA)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Leistung - max

259W

Schaltenergie

540µJ (on), 1.38mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/140ns

Testbedingung

600V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

270ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 12A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

160µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/73ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

1.5mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/150ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGWA60V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

750µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

334nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/208ns

Testbedingung

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

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Eingabetyp

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Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

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