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IXFZ140N25T

IXFZ140N25T

Nur als Referenz

Teilenummer IXFZ140N25T
PNEDA Teilenummer IXFZ140N25T
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 100A DE475
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.338
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IXFZ140N25T Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFZ140N25T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFZ140N25T, IXFZ140N25T Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 147,98 KB)
PDFIXFZ140N25T Datenblatt Cover
IXFZ140N25T Datenblatt Seite 2 IXFZ140N25T Datenblatt Seite 3 IXFZ140N25T Datenblatt Seite 4 IXFZ140N25T Datenblatt Seite 5

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IXFZ140N25T Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGigaMOS™ HiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs255nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds19000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)445W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDE475
Paket / FallDE475

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2985pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STW150NF55

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

FQA8N80C_F109

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.55Ohm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

220W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

IXTA44N25T

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AOT480L

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7820pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta), 333W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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