DMTH43M8LPSQ-13
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| Teilenummer | DMTH43M8LPSQ-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMTH43M8LPSQ-13 |
| Beschreibung | MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.830 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 28 - Feb 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMTH43M8LPSQ-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMTH43M8LPSQ-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
DMTH43M8LPSQ-13, DMTH43M8LPSQ-13 Datenblatt
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DMTH43M8LPSQ-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 22A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.367nF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.7W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI5060-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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