FQA8N80C_F109
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Teilenummer | FQA8N80C_F109 |
PNEDA Teilenummer | FQA8N80C_F109 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P |
Hersteller | ON Semiconductor |
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Auf Lager | 5.706 |
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FQA8N80C_F109 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FQA8N80C_F109 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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FQA8N80C_F109 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 4.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 220W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3P |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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