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FQB6N25TM

FQB6N25TM

Nur als Referenz

Teilenummer FQB6N25TM
PNEDA Teilenummer FQB6N25TM
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.488
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FQB6N25TM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQB6N25TM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQB6N25TM, FQB6N25TM Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 759,16 KB)
PDFFQB6N25TM Datenblatt Cover
FQB6N25TM Datenblatt Seite 2 FQB6N25TM Datenblatt Seite 3 FQB6N25TM Datenblatt Seite 4 FQB6N25TM Datenblatt Seite 5 FQB6N25TM Datenblatt Seite 6 FQB6N25TM Datenblatt Seite 7 FQB6N25TM Datenblatt Seite 8 FQB6N25TM Datenblatt Seite 9

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FQB6N25TM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.13W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD²PAK (TO-263AB)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IRL100HS121

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

11.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-PQFN (2x2)

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

IRF9Z34NPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRF7324D1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

BSC117N08NS5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 22µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

8-PowerTDFN

TK31N60W5,S1VF

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 300V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

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