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IXDR30N120D1

IXDR30N120D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXDR30N120D1
PNEDA Teilenummer IXDR30N120D1
Beschreibung IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.164
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IXDR30N120D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXDR30N120D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXDR30N120D1, IXDR30N120D1 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 194,4 KB)
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IXDR30N120D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 30A
Leistung - max200W
Schaltenergie4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 30A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)40ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

Leistung - max

175W

Schaltenergie

300µJ (on), 1.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

96nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21.5ns/180ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220

AUIRG4BC30SSTRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/540ns

Testbedingung

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRGC4061B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IRGIB10B60KD1P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Leistung - max

44W

Schaltenergie

156µJ (on), 165µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

41nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

400V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

79ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

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Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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