IXDN609SITR
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXDN609SITR |
| PNEDA Teilenummer | IXDN609SITR |
| Beschreibung | IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC |
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 58.356 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXDN609SITR Ressourcen
| Marke | IXYS Integrated Circuits Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXDN609SITR |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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IXDN609SITR Technische Daten
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 35V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 9A, 9A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 22ns, 15ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC-EP |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 16V Logikspannung - VIL, VIH 1.85V, 3.15V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 6A, 6A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20ns, 20ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-TDFN (3x3) |
