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ISL6209CBZ

ISL6209CBZ

Nur als Referenz

Teilenummer ISL6209CBZ
PNEDA Teilenummer ISL6209CBZ
Beschreibung IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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ISL6209CBZ Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL6209CBZ
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL6209CBZ, ISL6209CBZ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.288,71 KB)
PDFISL6209CBZ-T Datenblatt Cover
ISL6209CBZ-T Datenblatt Seite 2 ISL6209CBZ-T Datenblatt Seite 3 ISL6209CBZ-T Datenblatt Seite 4 ISL6209CBZ-T Datenblatt Seite 5 ISL6209CBZ-T Datenblatt Seite 6 ISL6209CBZ-T Datenblatt Seite 7 ISL6209CBZ-T Datenblatt Seite 8 ISL6209CBZ-T Datenblatt Seite 9 ISL6209CBZ-T Datenblatt Seite 10

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ISL6209CBZ Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Logikspannung - VIL, VIH1.8V, 3.1V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)33V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)8ns, 8ns
Betriebstemperatur-10°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 12.6V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

125V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

65ns, 65ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

12-WQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

12-TQFN (4x4)

IR2233STRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

90ns, 40ns

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

A4919GETTR-5-T

Allegro MicroSystems, LLC

Hersteller

Allegro MicroSystems, LLC

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

5.5V ~ 50V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 1.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

35ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-VFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

28-QFN-EP (5x5)

IXDD409SI

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

9A, 9A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ZL1505ALNNT

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 7.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.7V, 3.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3.2A, 3.2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

30V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5.3ns, 4.8ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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