IXBT42N170
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| Teilenummer | IXBT42N170 |
| PNEDA Teilenummer | IXBT42N170 |
| Beschreibung | IGBT 1700V 80A 360W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.192 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXBT42N170 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBT42N170 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBT42N170 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 42A |
| Leistung - max | 360W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 188nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.32µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX4™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 240A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 440A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 75A Leistung - max 1150W Schaltenergie 4.5mJ (on), 2.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 157nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/182ns Testbedingung 600V, 50A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 66ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 32A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A Leistung - max 44W Schaltenergie 156µJ (on), 165µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 41nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/180ns Testbedingung 400V, 10A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 79ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 63A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 18A Leistung - max 290W Schaltenergie 642µJ (on), 382µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/104ns Testbedingung 600V, 18A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A Leistung - max 100W Schaltenergie 230µJ (on), 1.18mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/200ns Testbedingung 480V, 17A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 95A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 235A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 25A Leistung - max 937W Schaltenergie 8.3mJ (on), 7.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 147nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/230ns Testbedingung 1250V, 25A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247HV (IXYH) |
