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IXBA14N300HV

IXBA14N300HV

Nur als Referenz

Teilenummer IXBA14N300HV
PNEDA Teilenummer IXBA14N300HV
Beschreibung REVERSE CONDUCTING IGBT
Hersteller IXYS
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Auf Lager 22.188
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXBA14N300HV Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBA14N300HV
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBA14N300HV, IXBA14N300HV Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 359,9 KB)
PDFIXBA14N300HV Datenblatt Cover
IXBA14N300HV Datenblatt Seite 2 IXBA14N300HV Datenblatt Seite 3 IXBA14N300HV Datenblatt Seite 4 IXBA14N300HV Datenblatt Seite 5 IXBA14N300HV Datenblatt Seite 6

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IXBA14N300HV Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)38A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 14A
Leistung - max200W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge62nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/166ns
Testbedingung960V, 14A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)1.4µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

Leistung - max

278W

Schaltenergie

1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

92nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/116ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

FGH40T120SMD-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

555W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/475ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG4RC10KTRR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

160µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/51ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

APT50GS60BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

93A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

195A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

Leistung - max

415W

Schaltenergie

755µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/225ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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