ISL9V3036P3
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| Teilenummer | ISL9V3036P3 |
| PNEDA Teilenummer | ISL9V3036P3 |
| Beschreibung | IGBT 360V 21A 150W TO220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.654 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ISL9V3036P3 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL9V3036P3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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ISL9V3036P3 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | EcoSPARK® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 360V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 21A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 4V, 6A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 17nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/4.8µs |
| Testbedingung | 300V, 1kOhm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 50A Leistung - max 375W Schaltenergie 1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 175nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/165ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 50A Leistung - max 652W Schaltenergie 3mJ (on), 1.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 235nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/297ns Testbedingung 600V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-46 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 7A Leistung - max 80W Schaltenergie 82µJ (on), 155µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 34.4nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22.5ns/116ns Testbedingung 390V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A Leistung - max 375W Schaltenergie 1.92mJ (on), 850µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 37ns/141ns Testbedingung 400V, 50A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 261ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 48W Schaltenergie 270µJ (on), 86µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 61nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/128ns Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 150ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket ITO-220AB |
