DGTD65T15H2TF
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| Teilenummer | DGTD65T15H2TF |
| PNEDA Teilenummer | DGTD65T15H2TF |
| Beschreibung | IGBT600V-XITO-220AB |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.328 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DGTD65T15H2TF Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DGTD65T15H2TF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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DGTD65T15H2TF Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 48W |
| Schaltenergie | 270µJ (on), 86µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 61nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19ns/128ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Lieferantengerätepaket | ITO-220AB |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 700A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A Leistung - max 400W Schaltenergie 10mJ (on), 33mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/490ns Testbedingung 960V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 700ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-PowerSMD, 21 Leads Lieferantengerätepaket 24-SMPD |
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