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IRGS4610DTRRPBF

IRGS4610DTRRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGS4610DTRRPBF
PNEDA Teilenummer IRGS4610DTRRPBF
Beschreibung IGBT 600V 16A 77W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.952
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IRGS4610DTRRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGS4610DTRRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGS4610DTRRPBF, IRGS4610DTRRPBF Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 405,76 KB)
PDFIRGR4610DTRPBF Datenblatt Cover
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IRGS4610DTRRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 6A
Leistung - max77W
Schaltenergie56µJ (on), 122µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge13nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.27ns/75ns
Testbedingung400V, 6A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)74ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

100µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/42ns

Testbedingung

300V, 10A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

77W

Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 25A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

1.315mJ (on), 1.515mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/185ns

Testbedingung

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

265A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 21A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

3.43mJ (on), 430µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/200ns

Testbedingung

850V, 21A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

330ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

200µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/100ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

D2PAK

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