APT68GA60B2D40
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| Teilenummer | APT68GA60B2D40 |
| PNEDA Teilenummer | APT68GA60B2D40 |
| Beschreibung | IGBT 600V 121A 520W TO-247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.290 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APT68GA60B2D40 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT68GA60B2D40 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT68GA60B2D40 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 121A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 202A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 520W |
| Schaltenergie | 715µJ (on), 607µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 198nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 21ns/133ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 710µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 54ns/110ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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