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IRGP6660D-EPBF

IRGP6660D-EPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGP6660D-EPBF
PNEDA Teilenummer IRGP6660D-EPBF
Beschreibung IGBT 600V 60A TO247AD
Hersteller Infineon Technologies
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Voraussichtliche Lieferung Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGP6660D-EPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGP6660D-EPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGP6660D-EPBF, IRGP6660D-EPBF Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 670,21 KB)
PDFIRGP6660DPBF Datenblatt Cover
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IRGP6660D-EPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)95A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)144A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 48A
Leistung - max330W
Schaltenergie600µJ (on), 1.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge95nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/155ns
Testbedingung400V, 48A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)70ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

238W

Schaltenergie

1.37mJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16.8ns/54.4ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

101ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

400µJ (on), 480µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

146nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/95ns

Testbedingung

400V, 50A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

456µJ (on), 411µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

NGTD14T65F2WP

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

SGD02N120BUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.2A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

9.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 2A

Leistung - max

62W

Schaltenergie

220µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

11nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/260ns

Testbedingung

800V, 2A, 91Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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